BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02 由霍尔效应的原理知，霍尔电势的大小取决于：Rh为霍尔常数，它与半导体材质有关； IC为霍尔元件的偏置电流；B为磁场强度；d为半导体材料的厚度。对于一个给定的霍尔器件 ，当偏置电流Ic固定时，Vh将*取决于被测的磁场强度B。

BALLUFF传感器BOS R020K-PO-PR11-00,2-S4 通过带纯文本显示的显示器实现简单、直观的操作 我们的多功能高分辨率光带BLA将Z多三种不同的、 这样您就能识别零件、确定位置和清点目标。 并且清晰可见。通过直观的操作区，